Diamond single crystal little in defect and synthetic method therefor



(57)【要約】 【課題】 X線領域での分光結晶や、電子材料的な用途 に効率よく用いることのできる、低欠陥でかつ歪みの少 ないダイヤモンド単結晶を容易、確実に製造する方法を 提供する。 【解決手段】 温度差法により、ダイヤモンドの種結晶 上に新たなダイヤモンド結晶を育成するダイヤモンド単 結晶の合成方法において、ダイヤモンドの種結晶に、結 晶欠陥がないダイヤモンドの単結晶を用いることを特徴 とする低欠陥ダイヤモンド単結晶の合成方法であり、更 に場合に応じて低圧の非酸化性雰囲気中で1100〜1 600℃の温度で熱処理することを特徴とする方法であ る。これらの方法により、針状欠陥によるエッチピット が3×10 5 ケ/cm 2 以下であるような、欠陥が少な く歪みも殆んどない良質なIIa型ダイヤモンド単結晶が 得られる。
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for producing a diamond single crystal simply and surely, capable of being effectively used for the usages as a spectrophotometric crystal in an X-ray region or an electronic material, little in defect and distortion. SOLUTION: This method for producing a diamond single crystal little in defect by growing a new diamond crystal on a diamond seed crystal by a temperature difference method, is to use the diamond single crystal without having a defect as the seed crystal, and further as necessary to heat-treat the obtained crystal in a low pressure non-oxidizing atmosphere at 1,100-1,600 deg.C. By these methods, the IIa-type diamond single crystal little in defect and having almost no distortion such as having <=3×10<5> /cm<3> etch pits due to a needle-like defect, is obtained.




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