半導体装置およびその作製方法

Semiconductor device and its manufacturing method

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To enlarge a process margin at the time of formation of the contact in a manufacturing process for a semiconductor device which is refined. SOLUTION: When a gate electrode 106 is formed, patterns 105 and 107 are formed at the same time. And, anode oxide films 108-110 are farmed an the surface of them. Further, an interlayer insulation film 113 is formed, and a contact hole 114 is formed. At this time, even when the contact hole 114 gets out of position, there is an aluminum pattern, in which the anode oxide films 108 and 109 are formed, on its surface, so that failure due to dislocation is prevented. COPYRIGHT: (C)1997,JPO
(57)【要約】 【目的】 微細化された半導体装置の作製工程におい て、コンタクトの形成に際するプロセスマージンを大き くする。 【構成】 ゲイト電極106の形成の際に同時にパター ン105と107を形成する。そして、それらの表面に 陽極酸化膜108〜110を形成する。さらに層間絶縁 膜113を形成し、コンタクトホール114を形成す る。この時、コンタクトホール114の位置がずれても のその表面に陽極酸化膜108と109が形成されたア ルミニウムパターンが存在しているので、位置ずれによ る不良の発生を防止することができる。

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    JP-2003007722-AJanuary 10, 2003Semiconductor Energy Lab Co Ltd, 株式会社半導体エネルギー研究所Semiconductor device and its manufacturing method